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IXFN 34N80
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ.
max.
miniBLOC, SOT-227 B
g fs
C iss
C oss
C rss
t d(on)
V DS = 10 V; I D = 0.5 ? I D25 , pulse test
V GS = 0 V, V DS = 25 V, f = 1 MHz
20
35
7500
920
220
45
S
pF
pF
pF
ns
t r
V GS = 10 V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 0.5 ? I D25
45
ns
M4 screws (4x) supplied
t d(off)
R G = 1 W (External)
100
ns
Dim.
Millimeter
Min. Max.
Inches
Min. Max.
t f
Q g(on)
40
270
ns
nC
A
B
C
D
31.50
7.80
4.09
4.09
31.88
8.20
4.29
4.29
1.240
0.307
0.161
0.161
1.255
0.323
0.169
0.169
Q gs
Q gd
R thJC
R thCK
R thJC
R thCK
V GS = 10 V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 0.5 ? I D25
60
140
0.15
0.05
0.22
0.21
nC
nC
K/W
K/W
K/W
K/W
E
F
G
H
J
K
L
M
N
O
P
Q
4.09
14.91
30.12
38.00
11.68
8.92
0.76
12.60
25.15
1.98
4.95
26.54
4.29
15.11
30.30
38.23
12.22
9.60
0.84
12.85
25.42
2.13
5.97
26.90
0.161
0.587
1.186
1.496
0.460
0.351
0.030
0.496
0.990
0.078
0.195
1.045
0.169
0.595
1.193
1.505
0.481
0.378
0.033
0.506
1.001
0.084
0.235
1.059
R
S
T
U
3.94
4.72
24.59
-0.05
4.42
4.85
25.07
0.1
0.155
0.186
0.968
-0.002
0.174
0.191
0.987
0.004
Source-Drain Diode
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Symbol
Test Conditions
min. typ.
max.
I S
I SM
V GS = 0 V
Repetitive;
34
136
A
A
pulse width limited by T JM
V SD
I F = I S , V GS = 0 V,
1.5
V
Pulse test, t ￡ 300 m s, duty cycle d ￡ 2 %
t rr
Q RM
I F = I S , -di/dt = 100 A/ m s, V R = 100 V
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
T J = 25 ° C
1.4
250
400
ns
ns
m C
I RM
10
A
? 2000 IXYS All rights reserved
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025
2-4
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